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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4463BDY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO

Menge:

Auf Lager : 2460 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.463

$1.463
10

$1.3129

$13.129
100

$1.05497

$105.497
500

$0.86676

$433.38
1000

$0.71817

$718.17

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±12V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Base Product Number	SI4463
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.8A (Ta)

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