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SI4459BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4459BDY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO

Menge:

Auf Lager : 11268 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.0735

$1.0735
10

$0.88065

$8.8065
100

$0.68504

$68.504
500

$0.58069

$290.345
1000

$0.47303

$473.03

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SI4459
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3490 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.5A (Ta), 27.8A (Tc)

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