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SI4425FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4425FDY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC

Menge:

Auf Lager : 9977 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.6555

$0.6555
10

$0.56525

$5.6525
100

$0.3914

$39.14
500

$0.32704

$163.52
1000

$0.27833

$278.33

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	+16V, -20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SI4425
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1620 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.7A (Ta), 18.3A (Tc)

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