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SI4160DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4160DY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO

Menge:

Auf Lager : 1860 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.235

$1.235
10

$1.1039

$11.039
100

$0.8607

$86.07
500

$0.71098

$355.49
1000

$0.5613

$561.3

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Base Product Number	SI4160
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2071 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25.4A (Tc)

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