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SI2392BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2392BDS-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT

Menge:

Auf Lager : 11803 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5795

$0.5795
10

$0.49685

$4.9685
100

$0.34551

$34.551
500

$0.26976

$134.88
1000

$0.21927

$219.27

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Base Product Number	SI2392
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta), 2.3A (Tc)

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