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SI2333DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2333DS-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Menge:

Auf Lager : 3779 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.7885

$0.7885
10

$0.70775

$7.0775
100

$0.55176

$55.176
500

$0.45577

$227.885
1000

$0.35981

$359.81

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Base Product Number	SI2333
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Ta)

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