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SI2324DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2324DS-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3

Menge:

Auf Lager : 50196 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.589

$0.589
10

$0.5035

$5.035
100

$0.3761

$37.61
500

$0.29552

$147.76
1000

$0.22836

$228.36

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 250µA
Base Product Number	SI2324
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Tc)

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