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SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2319DDS-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23

Menge:

Auf Lager : 14015 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.456

$0.456
10

$0.3876

$3.876
100

$0.26942

$26.942
500

$0.21036

$105.18
1000

$0.17098

$170.98

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen III
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SI2319
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

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