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SI2319CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2319CDS-T1-BE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23

Menge:

Auf Lager : 166 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5225

$0.5225
10

$0.4484

$4.484
100

$0.31179

$31.179
500

$0.24346

$121.73
1000

$0.19789

$197.89

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SI2319
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	595 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Ta), 4.4A (Tc)

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