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SI2312CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2312CDS-T1-BE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Menge:

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	865 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta), 6A (Tc)

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