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SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2312BDS-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Menge:

Auf Lager : 37886 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5225

$0.5225
10

$0.44745

$4.4745
100

$0.33392

$33.392
500

$0.26239

$131.195
1000

$0.20274

$202.74

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Base Product Number	SI2312
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.9A (Ta)

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