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SI2309CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2309CDS-T1-BE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Menge:

Auf Lager : 21059 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5035

$0.5035
10

$0.38855

$3.8855
100

$0.23294

$23.294
500

$0.21565

$107.825
1000

$0.14664

$146.64

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.2A (Ta), 1.6A (Tc)

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