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SI2301BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI2301BDS-T1-E3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Menge:

Auf Lager : 38082 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.4275

$0.4275
10

$0.3439

$3.439
100

$0.23398

$23.398
500

$0.17546

$87.73
1000

$0.1316

$131.6

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Base Product Number	SI2301
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)

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