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SCTWA60N120G2-4

STMicroelectronics

Hersteller Teil #:

SCTWA60N120G2-4

Hersteller:

STMicroelectronics

Paket:

TO-247-4

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Menge:

Auf Lager : 392 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$33.155

$33.155
10

$30.58145

$305.8145
25

$29.2068

$730.17
100

$26.11426

$2611.426
250

$24.91162

$6227.905

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Datencode

Mfr	STMicroelectronics
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+22V, -10V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-4
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max)	388W (Tc)
Supplier Device Package	TO-247-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1969 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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