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SCTWA10N120

STMicroelectronics

Hersteller Teil #:

SCTWA10N120

Hersteller:

STMicroelectronics

Paket:

HiP247™ Long Leads

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Menge:

Auf Lager : 500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$10.488

$10.488
10

$9.6349

$96.349
25

$9.2359

$230.8975
100

$8.13741

$813.741
250

$7.73801

$1934.5025
500

$7.23881

$3619.405

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Datencode

Mfr	STMicroelectronics
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+25V, -10V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA (Typ)
Base Product Number	SCTWA10
Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Supplier Device Package	HiP247™ Long Leads
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)

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