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SCTH35N65G2V-7

STMicroelectronics

Hersteller Teil #:

SCTH35N65G2V-7

Hersteller:

STMicroelectronics

Paket:

H2PAK-7

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Menge:

Auf Lager : 838 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$15.352

$15.352
10

$13.52515

$135.2515
100

$11.69735

$1169.735
500

$10.60068

$5300.34

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Datencode

Mfr	STMicroelectronics
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+22V, -10V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 1mA
Base Product Number	SCTH35
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max)	208W (Tc)
Supplier Device Package	H2PAK-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45A (Tc)

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