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RS6N120BHTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RS6N120BHTB1

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSOP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 80V 135A, HSOP8, POWER MOSFE

Menge:

Auf Lager : 2458 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6885

$2.6885
10

$2.2306

$22.306
100

$1.77564

$177.564
500

$1.50242

$751.21
1000

$1.27479

$1274.79

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	RS6N120
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 104W (Tc)
Supplier Device Package	8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3420 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	135A (Ta), 120A (Tc)

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