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RS6G120BGTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RS6G120BGTB1

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSOP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

Menge:

Auf Lager : 2105 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.2585

$3.2585
10

$2.73885

$27.3885
100

$2.21587

$221.587
500

$1.96965

$984.825
1000

$1.68652

$1686.52

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RS6G
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max)	104W (Ta)
Supplier Device Package	8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4240 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Ta)

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