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RS1E180BNTB

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RS1E180BNTB

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

CPT3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Menge:

Auf Lager : 2450 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.608

$0.608
10

$0.5206

$5.206
100

$0.36176

$36.176
500

$0.28243

$141.215
1000

$0.22955

$229.55

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RS1E
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 25W (Tc)
Supplier Device Package	CPT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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