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RQ3E180BNTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RQ3E180BNTB1

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSMT (3.2x3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:

Menge:

Auf Lager : 2850 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.8905

$1.8905
10

$1.19415

$11.9415
100

$0.88397

$88.397
500

$0.8123

$406.15
1000

$0.66896

$668.96

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RQ3E180
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 20W (Tc)
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta), 39A (Tc)

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