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RQ3E120GNTB

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RQ3E120GNTB

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSMT (3.2x3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT

Menge:

Auf Lager : 8655 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.475

$0.475
10

$0.4104

$4.104
100

$0.30628

$30.628
500

$0.24063

$120.315
1000

$0.18595

$185.95

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RQ3E120
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 16W (Tc)
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	590 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)

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