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RQ3E100ATTB

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RQ3E100ATTB

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSMT (3.2x3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT

Menge:

Auf Lager : 6468 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.798

$0.798
10

$0.65265

$6.5265
100

$0.50777

$50.777
500

$0.43038

$215.19
1000

$0.35059

$350.59

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RQ3E100
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 31A (Tc)

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