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RN2313,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

RN2313,LF

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

SC-70

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Power - Max	100 mW
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SC-70, SOT-323
Product Status	Active
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Base Product Number	RN2313
Resistor - Base (R1)	47 kOhms
Frequency - Transition	200 MHz
Supplier Device Package	SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V

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