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RN1962FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

RN1962FE(TE85L,F)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

ES6

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Menge:

Auf Lager : 3815 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.1425

$0.1425
10

$0.09405

$0.9405
100

$0.06764

$6.764
500

$0.05675

$28.375
1000

$0.0533

$53.3

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Power - Max	100mW
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Product Status	Obsolete
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Base Product Number	RN1962
Resistor - Base (R1)	10kOhms
Frequency - Transition	250MHz
Supplier Device Package	ES6
Resistor - Emitter Base (R2)	10kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V

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