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RN1906FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

RN1906FE,LF(CT

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

ES6

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Menge:

Auf Lager : 3700 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.228

$0.228
10

$0.18525

$1.8525
100

$0.09842

$9.842
500

$0.06477

$32.385
1000

$0.04404

$44.04
2000

$0.03972

$79.44

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Power - Max	100mW
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Product Status	Active
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Base Product Number	RN1906
Resistor - Base (R1)	4.7kOhms
Frequency - Transition	250MHz
Supplier Device Package	ES6
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V

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