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RN1101MFV,L3XHF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

RN1101MFV,L3XHF(CT

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

VESM

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER

Menge:

Auf Lager : 16000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.3135

$0.3135
10

$0.2166

$2.166
100

$0.10554

$10.554
500

$0.08802

$44.01
1000

$0.06117

$61.17
2000

$0.05301

$106.02

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	Automotive, AEC-Q101
Package	Tape & Reel (TR)
Power - Max	150 mW
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-723
Product Status	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Base Product Number	RN1101
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Supplier Device Package	VESM
Resistor - Emitter Base (R2)	4.7 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V

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