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RJK6032DPH-E0#T2

Renesas Electronics America Inc

Hersteller Teil #:

RJK6032DPH-E0#T2

Hersteller:

Renesas Electronics America Inc

Paket:

TO-251

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Renesas Electronics America Inc
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	40.3W (Tc)
Supplier Device Package	TO-251
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	285 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)

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