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RJK1003DPN-A0#T2

Renesas Electronics America Inc

Hersteller Teil #:

RJK1003DPN-A0#T2

Hersteller:

Renesas Electronics America Inc

Paket:

TO-220ABA

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 50A TO220ABA

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Renesas Electronics America Inc
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	RJK1003
Operating Temperature	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Ta)
Supplier Device Package	TO-220ABA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4150 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Ta)

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