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RH6R025BHTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RH6R025BHTB1

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSMT (3.2x3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE

Menge:

Auf Lager : 2900 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.729

$1.729
10

$1.43355

$14.3355
100

$1.14133

$114.133
500

$0.96573

$482.865
1000

$0.81941

$819.41

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	RH6R025
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 59W (Tc)
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1010 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta)

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