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RH6L040BGTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RH6L040BGTB1

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSMT (3.2x3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET

Menge:

Auf Lager : 26248 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.881

$1.881
10

$1.5656

$15.656
100

$1.24611

$124.611
500

$1.05438

$527.19
1000

$0.89463

$894.63

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RH6L040
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 59W (Tc)
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)

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