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RFN10BGE3STL

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RFN10BGE3STL

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

TO-252GE

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE

Menge:

Auf Lager : 90 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.064

$1.064
10

$0.8702

$8.702
100

$0.67706

$67.706
500

$0.57385

$286.925
1000

$0.46746

$467.46

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	Standard
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Base Product Number	RFN10
Capacitance @ Vr, F	-
Supplier Device Package	TO-252GE
Reverse Recovery Time (trr)	30 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 350 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	350 V
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 10 A

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