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RF4P060BGTCR

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RF4P060BGTCR

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

DFN2020-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerUDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RF4P060
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Supplier Device Package	DFN2020-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	305 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)

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