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RF1S30P06SM9A

Harris Corporation

Hersteller Teil #:

RF1S30P06SM9A

Hersteller:

Harris Corporation

Paket:

TO-263AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Harris Corporation
Series	-
Package	Bulk
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	135W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)

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