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RCD100N19TL

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

RCD100N19TL

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

CPT3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

Menge:

Auf Lager : 1108 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.2825

$1.2825
10

$1.0469

$10.469
100

$0.81405

$81.405
500

$0.69

$345
1000

$0.56207

$562.07

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Base Product Number	RCD100
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	850mW (Ta), 20W (Tc)
Supplier Device Package	CPT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	190 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)

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