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R6507ENXC7G

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

R6507ENXC7G

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

TO-220FM

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

Menge:

Auf Lager : 998 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.679

$2.679
10

$2.2287

$22.287
100

$1.77374

$177.374
500

$1.50084

$750.42
1000

$1.27344

$1273.44
2000

$1.20977

$2419.54
5000

$1.16429

$5821.45

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Base Product Number	R6507
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	46W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	390 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta)

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