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R6022YNX3C16

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

R6022YNX3C16

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 1.8mA
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max)	205W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)

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