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PHKD3NQ10T,518

Nexperia USA Inc.

Hersteller Teil #:

PHKD3NQ10T,518

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

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Menge

Datencode

Mfr	Nexperia USA Inc.
Series	TrenchMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	2W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	PHKD3
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A

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