Zuhause / Single, Pre-Biased Bipolar Transistors / PDTB114ETR

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PDTB114ETR

NXP Semiconductors

Hersteller Teil #:

PDTB114ETR

Hersteller:

NXP Semiconductors

Paket:

TO-236AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

PDTB114ET - 500 MA, 50 V PNP RES

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	NXP Semiconductors
Series	-
Package	Bulk
Power - Max	320 mW
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status	Obsolete
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Base Product Number	PDTB114
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Frequency - Transition	140 MHz
Supplier Device Package	TO-236AB
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V

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