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NTH4L020N090SC1

onsemi

Hersteller Teil #:

NTH4L020N090SC1

Hersteller:

onsemi

Paket:

TO-247-4L

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Menge:

Auf Lager : 320 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$35.6915

$35.6915
10

$31.80505

$318.0505
100

$27.9166

$2791.66

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Datencode

Mfr	onsemi
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+22V, -8V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-4
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 20mA
Base Product Number	NTH4L02
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max)	484W (Tc)
Supplier Device Package	TO-247-4L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4415 pF @ 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	116A (Tc)

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