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NP110N03PUG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Hersteller Teil #:

NP110N03PUG-E1-AY

Hersteller:

Renesas Electronics America Inc

Paket:

TO-263

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 110A TO263

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Renesas Electronics America Inc
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	NP110N03
Operating Temperature	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 288W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24600 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)

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