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NP109N04PUG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Hersteller Teil #:

NP109N04PUG-E1-AY

Hersteller:

Renesas Electronics America Inc

Paket:

TO-263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3

Menge:

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Menge

Datencode

Mfr	Renesas Electronics America Inc
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	NP109N04
Operating Temperature	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15750 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)

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