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MBR40035CTR

GeneSiC Semiconductor

Hersteller Teil #:

MBR40035CTR

Hersteller:

GeneSiC Semiconductor

Paket:

Twin Tower

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Menge:

Auf Lager : 1 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$97.812

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Datencode

Mfr	GeneSiC Semiconductor
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Series	-
Package	Bulk
Technology	Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	Twin Tower
Product Status	Active
Base Product Number	MBR40035
Diode Configuration	1 Pair Common Anode
Supplier Device Package	Twin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 mA @ 35 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	35 V
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	700 mV @ 200 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200A

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