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IXTT3N200P3HV

IXYS

Hersteller Teil #:

IXTT3N200P3HV

Hersteller:

IXYS

Paket:

TO-268HV (IXTT)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

Menge:

Auf Lager : 30 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$47.31

$47.31
10

$42.15435

$421.5435
100

$37.00088

$3700.088

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	Polar P3™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Base Product Number	IXTT3
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	520W (Tc)
Supplier Device Package	TO-268HV (IXTT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	2000 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1860 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)

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