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IXTA6N100D2HV

IXYS

Hersteller Teil #:

IXTA6N100D2HV

Hersteller:

IXYS

Paket:

TO-263HV

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV

Menge:

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	Depletion
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Depletion Mode
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Base Product Number	IXTA6
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263HV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2650 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tj)

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