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IXTA3N100D2

IXYS

Hersteller Teil #:

IXTA3N100D2

Hersteller:

IXYS

Paket:

TO-263AA

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

Menge:

Auf Lager : 304 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.415

$5.415
10

$4.8621

$48.621
100

$3.98382

$398.382
500

$3.39132

$1695.66
1000

$2.86015

$2860.15
2000

$2.71715

$5434.3

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	Depletion
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Depletion Mode
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Base Product Number	IXTA3
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1020 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)

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