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IXTA1R4N100P

IXYS

Hersteller Teil #:

IXTA1R4N100P

Hersteller:

IXYS

Paket:

TO-263AA

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

Menge:

Auf Lager : 253 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.0305

$3.0305
10

$2.71985

$27.1985
100

$2.2286

$222.86
500

$1.89715

$948.575
1000

$1.6

$1600
2000

$1.52001

$3040.02
5000

$1.46285

$7314.25

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	Polar
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Base Product Number	IXTA1
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Tc)

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