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IXFN82N60Q3

IXYS

Hersteller Teil #:

IXFN82N60Q3

Hersteller:

IXYS

Paket:

SOT-227B

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B

Menge:

Auf Lager : 150 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$55.005

$55.005
10

$50.00135

$500.0135
100

$45.00102

$4500.102

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	HiPerFET™, Q3 Class
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 8mA
Base Product Number	IXFN82
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max)	960W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	275 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13500 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	66A (Tc)

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