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IXFN26N120P

IXYS

Hersteller Teil #:

IXFN26N120P

Hersteller:

IXYS

Paket:

SOT-227B

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Menge:

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	HiPerFET™, Polar
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Base Product Number	IXFN26
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)	695W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)

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