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IXFN120N65X2

IXYS

Hersteller Teil #:

IXFN120N65X2

Hersteller:

IXYS

Paket:

SOT-227B

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

Menge:

Auf Lager : 101 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$35.7485

$35.7485
10

$33.3526

$333.526
100

$28.95923

$2895.923

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Datencode

Mfr	IXYS
Series	HiPerFET™, Ultra X2
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Base Product Number	IXFN120
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max)	890W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15500 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	108A (Tc)

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