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ISL9N307AS3ST

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

ISL9N307AS3ST

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

TO-263AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	UltraFET®
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max)	100W (Ta)
Supplier Device Package	TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)

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